在NAND Flash普及的进程中，随着2D平面闪存工艺进步，到达15nm的水平后，相关问题随之出现。每个闪存储存单元储存的电子越来越少，能抗磨损(每次写入、擦除，需要高电压，材料对电子控制能力随之变弱)的冗余电子减少，严重影响闪存耐久度。因此，3D NAND目前已经成为闪存界的新宠。那么如果在跟人讨论3D闪存的时候装逼呢？
一、行业背景
首先要对当前生产3D NAND的厂商了如指掌，张口就来。比如Intel的3D Xpoint，那就是未来型的，高效的交叉阵列结构。储存装置的速度和耐用度可达到当前NAND Flash的1,000倍。定位是在DRAM与SSD之间充当新的存储层，走在技术的最前端。
还有三星的 V-NAND，采用的进度最快的堆栈方式。放弃了传统的浮栅极MOSFET，改用自家的电荷撷取闪存（charge trap flash，简称CTF）设计。P/E擦写次数可达35000次。
然后再提到东芝的BICS 3，是所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。采用3-bit-per-cell技术和一次完成編程演算法(1-Pass Program Algorithm) 。也就是性价比型的，那么从成本的角度考虑，产品只有性价比占据了优势，才能引领新的闪存完成更替。
二、专有术语
讲完背景就要用专业术语来提升逼格，比如说我们讲SSD就会比讲固态硬盘要显得6。
那么关于3D NAND的关键制造工艺如下，也给你们准备好了。
（3D制造工艺）
High aspect ratio trenches（高深宽比的沟开挖）
No doping on source or drain（在源与漏中不掺杂）
Perfectly parallel walls（完全平行的侧壁）
Tens of stairsteps（众多级的楼梯(台阶)）
Uniform layer across wafer（在整个硅片面上均匀的淀积层）
Single-Litho stairstep（一步光刻楼梯成形）
Hard mask etching（硬掩模付蚀）
Processing inside of hole（通孔工艺）
Deposition on hole sides（孔内壁淀积工艺）
Polysilicon channels（多晶硅沟道）
Charge trap storage（电荷俘获型存储）
Etch through varying materials（各种不同材料的付蚀）
Deposition of tens of layers（淀积众多层材料）
三、行业前景
最后，就得谈点行业前景作为收尾。要是有人说现在都有SSD用上3D闪存了，你就得义正言辞的看着他说，“这个我懂，但是那是48层堆栈的，性价比不高。”真正大规模进入市场的时间是2016年Q4-2017年Q1季度，7月27日，东芝率先推出64层堆栈的3D NAND。标志着新一代3D NAND吹响了进入存储行业的号角。作为直系供应链的群联已经拿到内部工程样品，目前正进行紧张有序的VL 测试。而作为群联大陆唯一合作伙伴的影驰已经做好相关产线规划布局，成为行业领导地位有力角逐者。
